GFC TECHNOLOGIEREDACTIE- Een nieuw verticaal transistor halfgeleiderontwerp van IBM en Samsung zou een telefoon een week mee kunnen laten gaan tussen oplaadbeurten.
Het nieuwe verticale ontwerp heet Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET)
Deze chip heeft een uniek design en werkt daardoor veel beter dan normaal. Door de transistors niet plat, maar verticaal te plaatsen is er namelijk veel meer ruimte om er veel meer bij te plaatsen. Ook zijn er hierdoor meer contactpunten waardoor er minder energie wordt verspild.
BEKIJK OOK MEER GFC NIEUWS: Ruimtetrips miljardairs Bezos en Musk zorgen voor levenslange koolstofvervuiling
IBM en Samsung voorspellen dat het energieverbruik met 85% zal dalen in vergelijking met vergelijkbare chips. Ook zullen de prestaties verdubbelen.
Hierdoor kunnen batterijen langer dan een week zonder een oplaadbeurt werken. De batterijduur gaat dus fors omhoog.
Het ontwerp is ontwikkeld door IBM Research en Samsung via IBM’s Albany Research Alliance.
foto ter illustratie
Jennifer Atmo is de hoofdredacteur bij GFC Nieuws. Ze beschrijft zichzelf als een echte Surinamekenner en heeft een passie voor lifestyle en entertainment-onderwerpen. Buiten haar rol in de media is Atmo tevens de voorzitster van KIVC, een organisatie die zich inzet voor maatschappelijke zaken.
Voor contact: jennifer@gfcnieuws.com
